本实用新型涉及单晶硅技术领域，具体为一种提高光能利用率的单晶硅片。
背景技术：
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿，单晶硅片的主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等，还可以用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等，现在，我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。
现今市场上的此类单晶硅片种类繁多，基本可以满足人们的使用需求，但是依然存在一定的不足之处，具体问题有以下几点。
（1）现有的此类单晶硅片在使用时照射的光能容易反射，导致单晶硅片对光能利用率达不到要求，因此存在改进的空间；
（2）现有的此类单晶硅片在使用时在使用时其防腐效果较为一般，因此不利于硅片的使用寿命；
（3）现有的此类单晶硅片在使用时不便将多组硅片快速连接，因此给硅片的使用带来不便。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种提高光能利用率的单晶硅片，以解决上述背景技术中提出单晶硅片对光能利用率达不到要求，防腐效果较为一般和不便将多组硅片快速连接的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种提高光能利用率的单晶硅片，包括单晶硅片本体、双层氮化硅减反射层、刻蚀绒面结构层、防腐蚀结构和n型单晶硅片，所述单晶硅片本体的外壁上设置有防腐蚀结构，所述单晶硅片本体的内部设置有n型单晶硅片，且n型单晶硅片的底端设置有硅片底面，硅片底面的平面结构，所述n型单晶硅片上方的单晶硅片本体内部设置有p型单晶硅片，且p型单晶硅片和n型单晶硅片之间设置有导通区，所述n型单晶硅片两侧的外壁上皆固定有下电极，且下电极上方的p型单晶硅片外壁上固定有上电极。
优选的，所述防腐蚀结构的内部依次设置有防腐外壳、铌钽合金层和防水涂料，单晶硅片本体的外壁上固定有防腐外壳，便于对单晶硅片本体进行防护。
优选的，所述防腐外壳远离单晶硅片本体一侧的外壁上涂镀有铌钽合金层，且铌钽合金层远离防腐外壳一侧的外壁上喷涂有防水涂料，防水涂料与铌钽合金层相互配合，提高了防腐外壳的防腐性能。
优选的，所述下电极的一端设置有下端口，且下电极上方的上电极一端设置有上端口，用于多组单晶硅片本体之间的连接工作。
优选的，所述p型单晶硅片的顶端固定有双层氮化硅减反射层，且双层氮化硅减反射层的顶端固定有刻蚀绒面结构层，双层氮化硅减反射层与刻蚀绒面结构层相互配合，且双层氮化硅减反射层与刻蚀绒面结构层皆为波浪结构，使得光能在单晶硅片本体上循环折射。
优选的，所述p型单晶硅片和n型单晶硅片的内部皆设置有等间距的镓体，且镓体在p型单晶硅片和n型单晶硅片的内部错位分布，可对大部分的光衰进行抑制。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该提高光能利用率的单晶硅片不仅提高光能的利用率，减少了硅片的腐化、延长了硅片的使用寿命，而且提高了多组单晶硅片本体连接时的便捷性；
（1）通过设置有双层氮化硅减反射层、刻蚀绒面结构层和镓体，通过在p型单晶硅片的顶端设置双层氮化硅减反射层，在双层氮化硅减反射层的顶端设置刻蚀绒面结构层，双层氮化硅减反射层和刻蚀绒面结构层的设置减少了光能的反射，同时由于双层氮化硅减反射层和刻蚀绒面结构层皆为波浪结构，使得光能在单晶硅片本体上循环折射，并且，通过在p型单晶硅片和n型单晶硅片的内部掺镓体，使得单晶硅片本体的电阻率在不增加成本的前提下实现和掺硼一样的水平，可对大部分的光衰进行抑制，从而提高光能的利用率；
（2）通过设置有防腐外壳、铌钽合金层和防水涂料，通过在单晶硅片本体的外壁上设置防腐外壳，可对单晶硅片本体进行防护，同时防腐外壳外壁上涂镀的铌钽合金层和铌钽合金层外壁上喷涂的防水涂料有效的提高了防腐外壳的防腐性能，从而减少了硅片的腐化，进而延长了硅片的使用寿命；
（3）通过设置有下电极、下端口、上电极和上端口，通过在n型单晶硅片的外壁上固定下电极，并通过在p型单晶硅片的外壁上固定上电极，下电极一端的下端口和上电极一端的上端口实现多组单晶硅片本体之间的连接，从而提高了多组单晶硅片本体连接时的便捷性。
附图说明
图1为本实用新型的正视结构示意图；
图2为本实用新型的侧视剖面结构示意图；
图3为本实用新型的图1中a处放大结构示意图；
图4为本实用新型的防腐蚀结构剖视放大结构示意图。
图中：1、单晶硅片本体；2、双层氮化硅减反射层；3、刻蚀绒面结构层；4、防腐蚀结构；401、防腐外壳；402、铌钽合金层；403、防水涂料；5、n型单晶硅片；6、硅片底面；7、导通区；8、下电极；9、下端口；10、上电极；11、上端口；12、p型单晶硅片；13、镓体。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-4，本实用新型提供的一种实施例：一种提高光能利用率的单晶硅片，包括单晶硅片本体1、双层氮化硅减反射层2、刻蚀绒面结构层3、防腐蚀结构4和n型单晶硅片5，单晶硅片本体1的外壁上设置有防腐蚀结构4；
防腐蚀结构4的内部依次设置有防腐外壳401、铌钽合金层402和防水涂料403，单晶硅片本体1的外壁上固定有防腐外壳401，防腐外壳401远离单晶硅片本体1一侧的外壁上涂镀有铌钽合金层402，且铌钽合金层402远离防腐外壳401一侧的外壁上喷涂有防水涂料403，防水涂料403与铌钽合金层402相互配合；
通过在单晶硅片本体1的外壁上设置防腐外壳401，可对单晶硅片本体1进行防护，同时防腐外壳401外壁上涂镀的铌钽合金层402和铌钽合金层402外壁上喷涂的防水涂料403有效的提高了防腐外壳401的防腐性能，从而减少了硅片的腐化，进而延长了硅片的使用寿命；
单晶硅片本体1的内部设置有n型单晶硅片5，且n型单晶硅片5的底端设置有硅片底面6，硅片底面6的平面结构，n型单晶硅片5上方的单晶硅片本体1内部设置有p型单晶硅片12，且p型单晶硅片12和n型单晶硅片5之间设置有导通区7；
p型单晶硅片12的顶端固定有双层氮化硅减反射层2，且双层氮化硅减反射层2的顶端固定有刻蚀绒面结构层3，双层氮化硅减反射层2与刻蚀绒面结构层3相互配合，且双层氮化硅减反射层2与刻蚀绒面结构层3皆为波浪结构，使得光能在单晶硅片本体1上循环折射；
p型单晶硅片12和n型单晶硅片5的内部皆设置有等间距的镓体13，且镓体13在p型单晶硅片12和n型单晶硅片5的内部错位分布，可对大部分的光衰进行抑制；
n型单晶硅片5两侧的外壁上皆固定有下电极8，且下电极8上方的p型单晶硅片12外壁上固定有上电极10；
下电极8的一端设置有下端口9，且下电极8上方的上电极10一端设置有上端口11，用于多组单晶硅片本体1之间的连接工作。
工作原理：使用时，首先，通过在p型单晶硅片12的顶端设置双层氮化硅减反射层2，在双层氮化硅减反射层2的顶端设置刻蚀绒面结构层3，双层氮化硅减反射层2和刻蚀绒面结构层3的设置减少了光能的反射，同时由于双层氮化硅减反射层2和刻蚀绒面结构层3皆为波浪结构，使得光能在单晶硅片本体1上循环折射，并且，通过在p型单晶硅片12和n型单晶硅片5的内部掺镓体13，使得单晶硅片本体1的电阻率在不增加成本的前提下实现和掺硼一样的水平，可对大部分的光衰进行抑制，从而提高光能的利用率，然后，通过在单晶硅片本体1的外壁上设置防腐外壳401，可对单晶硅片本体1进行防护，同时防腐外壳401外壁上涂镀的铌钽合金层402和铌钽合金层402外壁上喷涂的防水涂料403有效的提高了防腐外壳401的防腐性能，从而减少了硅片的腐化，进而延长了硅片的使用寿命，最后，通过在n型单晶硅片5的外壁上固定下电极8，并通过在p型单晶硅片12的外壁上固定上电极10，下电极8一端的下端口9和上电极10一端的上端口11实现多组单晶硅片本体1之间的连接，从而提高了多组单晶硅片本体1连接时的便捷性，完成提高光能利用率的单晶硅片的工作。
对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
1.一种提高光能利用率的单晶硅片，包括单晶硅片本体（1）、双层氮化硅减反射层（2）、刻蚀绒面结构层（3）、防腐蚀结构（4）和n型单晶硅片（5），其特征在于：所述单晶硅片本体（1）的外壁上设置有防腐蚀结构（4），所述单晶硅片本体（1）的内部设置有n型单晶硅片（5），且n型单晶硅片（5）的底端设置有硅片底面（6），硅片底面（6）的平面结构，所述n型单晶硅片（5）上方的单晶硅片本体（1）内部设置有p型单晶硅片（12），且p型单晶硅片（12）和n型单晶硅片（5）之间设置有导通区（7），所述n型单晶硅片（5）两侧的外壁上皆固定有下电极（8），且下电极（8）上方的p型单晶硅片（12）外壁上固定有上电极（10）。
2.根据权利要求1所述的一种提高光能利用率的单晶硅片，其特征在于：所述防腐蚀结构（4）的内部依次设置有防腐外壳（401）、铌钽合金层（402）和防水涂料（403），所述单晶硅片本体（1）的外壁上固定有防腐外壳（401）。
3.根据权利要求2所述的一种提高光能利用率的单晶硅片，其特征在于：所述防腐外壳（401）远离单晶硅片本体（1）一侧的外壁上涂镀有铌钽合金层（402），且铌钽合金层（402）远离防腐外壳（401）一侧的外壁上喷涂有防水涂料（403），防水涂料（403）与铌钽合金层（402）相互配合。
4.根据权利要求1所述的一种提高光能利用率的单晶硅片，其特征在于：所述下电极（8）的一端设置有下端口（9），且下电极（8）上方的上电极（10）一端设置有上端口（11）。
5.根据权利要求1所述的一种提高光能利用率的单晶硅片，其特征在于：所述p型单晶硅片（12）的顶端固定有双层氮化硅减反射层（2），且双层氮化硅减反射层（2）的顶端固定有刻蚀绒面结构层（3），双层氮化硅减反射层（2）与刻蚀绒面结构层（3）相互配合，且双层氮化硅减反射层（2）与刻蚀绒面结构层（3）皆为波浪结构。
6.根据权利要求1所述的一种提高光能利用率的单晶硅片，其特征在于：所述p型单晶硅片（12）和n型单晶硅片（5）的内部皆设置有等间距的镓体（13），且镓体（13）在p型单晶硅片（12）和n型单晶硅片（5）的内部错位分布。
技术总结