本实用新型涉及光电子集成技术领域，具体为一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构。
背景技术：
ltcc技术是于1982年休斯公司开发的新型材料技术，是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷带，在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形，并将多个被动组件（如低容值电容、电阻、滤波器、阻抗转换器、耦合器等）埋入多层陶瓷基板中，然后叠压在一起，内外电极可分别使用银、铜、金等金属，在900℃下烧结，制成三维空间互不干扰的高密度电路，也可制成内置无源元件的三维电路基板，在其表面可以贴装ic和有源器件，制成无源/有源集成的功能模块，可进一步将电路小型化与高密度化，特别适合用于高频通讯用组件。
集成电路封装不仅起到集成电路芯片内键合点与外部进行电气连接的作用，也为集成电路芯片提供了一个稳定可靠的工作环境，对集成电路芯片起到机械或环境保护的作用，从而集成电路芯片能够发挥正常的功能，并保证其具有高稳定性和可靠性。总之，集成电路封装质量的好坏，对集成电路总体的性能优劣关系很大，对封提高了更高的机械性能、电气性能、散热性能和化学等多方面的要求，因此我们对此做出改进，提出一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构。
技术实现要素：
为了解决上述技术问题，本实用新型提供了如下的技术方案：
本实用新型一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，包括多功能低温共烧陶瓷基板，其特征在于，所述多功能低温共烧陶瓷基板包括直流功能层和高频功能层，所述直流功能层固定安装在高频功能层的顶部，所述直流功能层顶部固定安装有半导体晶体，所述半导体晶体一侧固定安装有金线，所述金线固定安装有背光探测器引线，所述背光探测器引线一侧固定安装有背光探测器芯片，所述半导体晶体另一侧固定安装有激光器芯片正极引线，所述激光器芯片固定安装在激光器芯片正极引线的一侧，所述激光器芯片和背光探测器芯片底部连接有卡槽，所述直流功能层与高频功能层一侧固定设置有功能端口。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述背光探测器引线与直流功能层一端交接处固定设置有第一直流信号输入端口，所述激光器芯片正极引线与直流功能层一端交接处固定设置有第二直流信号输入端口。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述直流功能层的功能端口为高频信号输入端口，所述高频信号输入端口与激光器芯片之间固定设置有高频信号输入引线。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述高频功能层在功能端口竖直位置下固定设置有高频信号线区，所述高频信号线固定设置若干个，且所述高频信号线均匀安装在高频功能层。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述高频信号输入引线贯穿直流功能层与高频信号线电性连接。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述高频信号线两侧均匀设置有共地电极。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述多功能低温共烧陶瓷基板通过低温共烧陶瓷工艺叠压烧结制成。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述卡槽为中空，所述背光探测器芯片和激光器芯片与高频功能层电性连接。
本实用新型的有益效果是：多功能低温共烧陶瓷基板基板通过ltcc技术将直流功能层和高频功能层多个功能层集成为一体，并在内部形成三维立体电路传输网络，实现信号的便捷传输，该结构避免了传统方案中采用分立双层陶瓷电路结构导致的可靠性低、体积大和无法进行异形设计等缺点，具有集成度高、体积小等特点，适用于大规模高密度阵列芯片的集成封装。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：
图1是本实用新型一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构的立体图；
图2是本实用新型一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构的高频信号输入引线连接高频信号线的立体图；
图3是本实用新型一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构的卡槽的位置图；
图4是本实用新型一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构的整合体立体图。
图中：1、多功能低温共烧陶瓷基板；2、直流功能层；3、高频功能层；301、高频信号线区；302、高频信号线；303、共地电极；4、半导体晶体；5、金线；6、背光探测器引线；7、背光探测器芯片；8、激光器芯片正极引线；9、激光器芯片；10、卡槽；11、功能端口；1101、高频信号输入端口；1102、高频信号输入引线；12、第一直流信号输入端口；13、第二直流信号输入端口。
具体实施方式
为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本实用新型。
如图1-4所示，本实用新型一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，包括多功能低温共烧陶瓷基板1，其特征在于，所述多功能低温共烧陶瓷基板1包括直流功能层2和高频功能层3，所述直流功能层2固定安装在高频功能层3的顶部，所述直流功能层2顶部固定安装有半导体晶体4，所述半导体晶体4一侧固定安装有金线5，所述金线5固定安装有背光探测器引线6，所述背光探测器引线6一侧固定安装有背光探测器芯片7，所述半导体晶体4另一侧固定安装有激光器芯片正极引线8，所述激光器芯片9固定安装在激光器芯片正极引线8的一侧，所述激光器芯片9和背光探测器芯片7底部连接有卡槽10，所述直流功能层2与高频功能层3一侧固定设置有功能端口11。
其中，背光探测器引线6与直流功能层2一端交接处固定设置有第一直流信号输入端口12，所述激光器芯片正极引线8与直流功能层2一端交接处固定设置有第二直流信号输入端口13。
其中，直流功能层2的功能端口11为高频信号输入端口1101，所述高频信号输入端口1101与激光器芯片9之间固定设置有高频信号输入引线1102。
其中，高频功能层3在功能端口11竖直位置下固定设置有高频信号线区301，所述高频信号线302固定设置若干个，且所述高频信号线302均匀安装在高频功能层3。
其中，高频信号输入引线1102贯穿直流功能层2与高频信号线302电性连接。
其中，高频信号线302两侧均匀设置有共地电极303。
其中，多功能低温共烧陶瓷基板1通过低温共烧陶瓷工艺叠压烧结制成。
其中，卡槽10为中空，所述背光探测器芯片7和激光器芯片9与高频功能层3电性连接。
工作时，半导体晶体提供三组输入信号，分别为第一直流信号、第二直流信号和高频输入信号，第一信号在激光器芯片正极引线传递给激光器芯片，激光器芯片在处理第一直流信号好将处理好的信号通过通过激光器芯片正极引线传递给第一直流信号端口，同理，第二信号在背光探测器引线传递给背光探测器芯片，背光探测器芯片在处理第二直流信号好将处理好的信号通过通过背光探测器引线传递给第二直流信号端口，高频输入信号在激光器芯片里进行处理，处理后的信号在通过高频信号输入线传递，再传递到高频信号线中借由高频信号线传输出去，低温共烧陶瓷的光电封装结构需要与外部装置连接，进行信号的传递，该装置提供的基于低温共烧陶瓷的光电封装结构用来发出激光信号，经过外部装置的处理后，接收由外部装置输出的直流信号和高频信号。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
1.一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，包括多功能低温共烧陶瓷基板(1)，其特征在于，所述多功能低温共烧陶瓷基板(1)包括直流功能层(2)和高频功能层(3)，所述直流功能层(2)固定安装在高频功能层(3)的顶部，所述直流功能层(2)顶部固定安装有半导体晶体(4)，所述半导体晶体(4)一侧固定安装有金线(5)，所述金线(5)固定安装有背光探测器引线(6)，所述背光探测器引线(6)一侧固定安装有背光探测器芯片(7)，所述半导体晶体(4)另一侧固定安装有激光器芯片正极引线(8)，所述激光器芯片(9)固定安装在激光器芯片正极引线(8)的一侧，所述激光器芯片(9)和背光探测器芯片(7)底部连接有卡槽(10)，所述直流功能层(2)与高频功能层(3)一侧固定设置有功能端口(11)。
2.根据权利要求1所述的一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，其特征在于，所述背光探测器引线(6)与直流功能层(2)一端交接处固定设置有第一直流信号输入端口(12)，所述激光器芯片正极引线(8)与直流功能层(2)一端交接处固定设置有第二直流信号输入端口(13)。
3.根据权利要求1所述的一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，其特征在于，所述直流功能层(2)的功能端口(11)为高频信号输入端口(1101)，所述高频信号输入端口(1101)与激光器芯片(9)之间固定设置有高频信号输入引线(1102)。
4.根据权利要求1所述的一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，其特征在于，所述高频功能层(3)在功能端口(11)竖直位置下固定设置有高频信号线区(301)，所述高频信号线(302)固定设置若干个，且所述高频信号线(302)均匀安装在高频功能层(3)。
5.根据权利要求3所述的一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，其特征在于，所述高频信号输入引线(1102)贯穿直流功能层(2)与高频信号线(302)电性连接。
6.根据权利要求4所述的一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，其特征在于，所述高频信号线(302)两侧均匀设置有共地电极(303)。
7.根据权利要求1所述的一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，其特征在于，所述多功能低温共烧陶瓷基板(1)通过低温共烧陶瓷工艺叠压烧结制成。
8.根据权利要求1所述的一种基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构，其特征在于，所述卡槽(10)为中空，所述背光探测器芯片(7)和激光器芯片(9)与高频功能层(3)电性连接。
技术总结