本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种逆导可控硅。
背景技术：
可控硅器件主要用在开关方面，使器件从关闭或是阻断的状态转换为开启或是导通的状态，反之亦然。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种逆导可控硅，该逆导可控硅大大提高了器件耐高压性能且关断时间短，也有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种逆导可控硅，包括：可控硅芯片、二极管芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极、阴极电极和栅极电极，所述陶瓷绝缘片开有第一通孔、第二通孔，此第一通孔、第二通孔内分别设置有一第一导电柱、第二导电柱，所述可控硅芯片位于陶瓷绝缘片的一表面并覆盖第一通孔，此可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述第一导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与可控硅芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与第一导电柱另一端电连接；
所述可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极的阴极焊接部和栅极电极的栅极焊接部位于环氧封装体内，所述阴极电极的阴极焊接部与可控硅芯片的阴极区通过第一导线连接，所述栅极电极的栅极焊接部与可控硅芯片的栅极区通过第二导线连接，所述阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚从环氧封装体内延伸出；
所述二极管芯片的正极通过焊膏层与所述第二导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与二极管芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与第二导电柱另一端电连接，所述二极管芯片的负极通过第三导线与阴极焊接部电连接。
上述技术方案中进一步改进的方案如下：
1.上述方案中，所述第一导线为带状导线条。
2.上述方案中，所述焊膏层为金属锡层或者金属银层。
3.上述方案中，所述阴极电极、栅极电极均位于陶瓷绝缘片的前侧。
由于上述技术方案的运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：
1、本实用新型逆导可控硅，其包括可控硅芯片、二极管芯片，二极管芯片的正极通过焊膏层与所述第二导电柱一端电连接，此阳极电极的阳极焊接部与第二导电柱另一端电连接，所述二极管芯片的负极通过第三导线与阴极焊接部电连接，大大提高了器件耐高压性能且关断时间短。
2、本实用新型逆导可控硅，其陶瓷绝缘片开有第一通孔，此第一通孔内设置有一第一导电柱，所述可控硅芯片位于陶瓷绝缘片的一表面并覆盖第一通孔，此可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述第一导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与可控硅芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与第一导电柱另一端电连接；大大增加了可控硅芯片与陶瓷绝缘片接触面积，且直接接触，既有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散，也增加了可控硅芯片与阳极电极的垂直距离，提高了器件的可靠性。
附图说明
附图1为本实用新型逆导可控硅的结构示意图；
附图2为附图1的剖视结构示意图。
以上附图中：1、可控硅芯片；101、阳极区；102、阴极区；103、栅极区；2、陶瓷绝缘片；21、第一通孔；22、第二通孔；3、阳极电极；31、阳极焊接部；32、阳极管脚；4、阴极电极；41、阴极焊接部；42、阴极管脚；5、栅极电极；51、栅极焊接部；52、栅极管脚；61、第一导电柱；62、第二导电柱；7、焊膏层；8、环氧封装体；9、第一导线；10、第二导线；11、折弯部；12、二极管芯片；13、第三导线。
具体实施方式
实施例1：一种逆导可控硅，包括：可控硅芯片1、二极管芯片12、陶瓷绝缘片2、阳极电极3、阴极电极4和栅极电极5，所述陶瓷绝缘片2开有第一通孔21、第二通孔22，此第一通孔21、第二通孔22内分别设置有一第一导电柱61、第二导电柱62，所述可控硅芯片1位于陶瓷绝缘片2的一表面并覆盖第一通孔21，此可控硅芯片1的阳极区101通过一焊膏层7与所述第一导电柱61一端电连接，所述阳极电极3位于陶瓷绝缘片2与可控硅芯片1相背的表面，此阳极电极3的阳极焊接部31与第一导电柱61另一端电连接；
所述可控硅芯片1、陶瓷绝缘片2、阳极电极3的阳极焊接部31、阴极电极4的阴极焊接部41和栅极电极5的栅极焊接部51位于环氧封装体8内，所述阴极电极4的阴极焊接部41与可控硅芯片1的阴极区102通过第一导线9连接，所述栅极电极5的栅极焊接部与可控硅芯片1的栅极区103通过第二导线10连接，所述阳极电极3的阳极管脚32、阴极电极4的阴极管脚42和栅极电极5的栅极管脚52从环氧封装体8内延伸出；
所述二极管芯片12的正极通过焊膏层7与所述第二导电柱62一端电连接，所述阳极电极3位于陶瓷绝缘片2与二极管芯片12相背的表面，此阳极电极3的阳极焊接部31与第二导电柱62另一端电连接，所述二极管芯片12的负极通过第三导线13与阴极焊接部41电连接。
上述第一导线9为带状导线条，上述焊膏层7为金属锡层。
实施例2：一种逆导可控硅，包括：可控硅芯片1、二极管芯片12、陶瓷绝缘片2、阳极电极3、阴极电极4和栅极电极5，所述陶瓷绝缘片2开有第一通孔21、第二通孔22，此第一通孔21、第二通孔22内分别设置有一第一导电柱61、第二导电柱62，所述可控硅芯片1位于陶瓷绝缘片2的一表面并覆盖第一通孔21，此可控硅芯片1的阳极区101通过一焊膏层7与所述第一导电柱61一端电连接，所述阳极电极3位于陶瓷绝缘片2与可控硅芯片1相背的表面，此阳极电极3的阳极焊接部31与第一导电柱61另一端电连接；
所述可控硅芯片1、陶瓷绝缘片2、阳极电极3的阳极焊接部31、阴极电极4的阴极焊接部41和栅极电极5的栅极焊接部51位于环氧封装体8内，所述阴极电极4的阴极焊接部41与可控硅芯片1的阴极区102通过第一导线9连接，所述栅极电极5的栅极焊接部与可控硅芯片1的栅极区103通过第二导线10连接，所述阳极电极3的阳极管脚32、阴极电极4的阴极管脚42和栅极电极5的栅极管脚52从环氧封装体8内延伸出；
所述二极管芯片12的正极通过焊膏层7与所述第二导电柱62一端电连接，所述阳极电极3位于陶瓷绝缘片2与二极管芯片12相背的表面，此阳极电极3的阳极焊接部31与第二导电柱62另一端电连接，所述二极管芯片12的负极通过第三导线13与阴极焊接部41电连接。
上述第一导线9为带状导线条，上述焊膏层7为金属银层。
上述阴极电极4、栅极电极5均位于陶瓷绝缘片2的前侧。
采用上述逆导可控硅时，其包括可控硅芯片、二极管芯片，二极管芯片的正极通过焊膏层与所述第二导电柱一端电连接，此阳极电极的阳极焊接部与第二导电柱另一端电连接，所述二极管芯片的负极通过第三导线与阴极焊接部电连接，大大提高了器件耐高压性能且关断时间短；还有，其既有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散，也增加了可控硅芯片与阳极电极的垂直距离，提高了器件的可靠性。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
1.一种逆导可控硅，其特征在于：包括：可控硅芯片（1）、二极管芯片（12）、陶瓷绝缘片（2）、阳极电极（3）、阴极电极（4）和栅极电极（5），所述陶瓷绝缘片（2）开有第一通孔（21）、第二通孔（22），此第一通孔（21）、第二通孔（22）内分别设置有一第一导电柱（61）、第二导电柱（62），所述可控硅芯片（1）位于陶瓷绝缘片（2）的一表面并覆盖第一通孔（21），此可控硅芯片（1）的阳极区（101）通过一焊膏层（7）与所述第一导电柱（61）一端电连接，所述阳极电极（3）位于陶瓷绝缘片（2）与可控硅芯片（1）相背的表面，此阳极电极（3）的阳极焊接部（31）与第一导电柱（61）另一端电连接；
所述可控硅芯片（1）、陶瓷绝缘片（2）、阳极电极（3）的阳极焊接部（31）、阴极电极（4）的阴极焊接部（41）和栅极电极（5）的栅极焊接部（51）位于环氧封装体（8）内，所述阴极电极（4）的阴极焊接部（41）与可控硅芯片（1）的阴极区（102）通过第一导线（9）连接，所述栅极电极（5）的栅极焊接部与可控硅芯片（1）的栅极区（103）通过第二导线（10）连接，所述阳极电极（3）的阳极管脚（32）、阴极电极（4）的阴极管脚（42）和栅极电极（5）的栅极管脚（52）从环氧封装体（8）内延伸出；
所述二极管芯片（12）的正极通过焊膏层（7）与所述第二导电柱（62）一端电连接，所述阳极电极（3）位于陶瓷绝缘片（2）与二极管芯片（12）相背的表面，此阳极电极（3）的阳极焊接部（31）与第二导电柱（62）另一端电连接，所述二极管芯片（12）的负极通过第三导线（13）与阴极焊接部（41）电连接。
2.根据权利要求1所述的逆导可控硅，其特征在于：所述第一导线（9）为带状导线条。
3.根据权利要求1所述的逆导可控硅，其特征在于：所述焊膏层（7）为金属锡层或者金属银层。
4.根据权利要求1所述的逆导可控硅，其特征在于：所述阴极电极（4）、栅极电极（5）均位于陶瓷绝缘片（2）的前侧。
技术总结