本实用新型涉及芯片封装制造技术领域，特别是一种dfn2030-6高密度框架。
背景技术：
现有技术中芯片的封装通常是将一个或多个芯片安装于矩形框架上高密度排布的各个芯片安装单元内，采用导线将芯片和芯片安装单元内的引脚相连接，形成电气回路，并对芯片安装单元进行塑封以隔绝外界水汽对芯片的影响，塑封结束后将框架上的所有芯片安装单元进行切割。
dfn2030-6为芯片安装单元型号(矩形，尺寸2.0mm×3.0mm)，尺寸为2.0mm×3.0mm，每个芯片安装单元相对的两个长边各设有三个引脚，共计六个引脚，两侧的引脚位置相对设置。每个芯片安装单元内设置一个芯片安装部，芯片安装部与对应的引脚之间存在间隙，每一个芯片安装单元均存在所述间隙，若干所述间隙的存在削弱了框架的整体强度。
另外，现有的框架结构包括若干沿框架长度方向设置的第一连接件和若干沿框架宽度方向设置的第二连接件。横向上相邻两个芯片安装单元之间通过若干第一连接件连接在框架上,个别的第一连接件之间通过连接第二连接件用以提高连接强度，同时减少了塑封结束后刀具的切割面积，但没有通过第二连接件连接的第一连接件之间的间隔处强度较弱。特别的，当芯片安装部与对应引脚之间的间隙两侧相邻的第一连接件之间没有连接第二连接件时，框架在此处间隔区域强度更弱，极易导致框架在生产过程中变形，导线焊接不牢。
技术实现要素：
本实用新型目的在于针对现有技术中芯片安装单元内芯片安装部与对应引脚之间的间隙和相邻芯片安装单元之间没有连接第二连接件的第一连接件之间的间隔会削弱框架的整体强度，导致框架在生产过程中变形，导线焊接不牢的问题，提供一种dfn2030-6高密度框架。
为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：
一种dfn2030-6高密度框架，包括框架，所述框架包含多个芯片安装单元，所述框架包括若干第一连接件和若干第二连接件，每个所述芯片安装单元相对的两边分别各设有三个引脚，所述芯片安装单元内设有一个芯片安装部，横向上相邻所述芯片安装部通过对应的所述第一连接件相连通，所述引脚通过对应的所述第一连接件相连通，同一纵向上的所述第一连接件通过对应的所述第二连接件相连通，所述第二连接件设成半腐蚀结构，所述芯片安装部与对应所述引脚存在间隙，所述间隙两侧对应的所述第二连接件上沿纵向设有加强筋，所述加强筋沿纵向长度大于所述间隙的间距。
所述芯片安装单元在所述框架上阵列分布。所述框架的长度方向为横向，宽度方向为纵向。所述第一连接件主要承受框架受到的横向力，所述第二连接件主要承受框架受到的纵向力。同一排相邻两个所述芯片安装部通过对应所述第一连接件相连通，任意相邻两排所述芯片安装单元之间的所有所述引脚通过对应所述第一连接件相连通，如此即可将同一排所述芯片安装单元固定连接到所述框架上。任意相邻两列所述芯片安装单元之间的所有所述第一连接件通过对应所述第二连接件相连通，如此设置使得任意所述第一连接件和第二连接件相连通，提高了所述框架的强度，且为了避免如此设置带来的刀具切割量的增加，将所述第二连接件设成半腐蚀结构，即通过化学腐蚀作用将原有所述第二连接件的板厚减少。所述间隙两侧对应的所述第二连接件上沿纵向设置加强筋，所述加强筋沿纵向长度大于所述间隙的间距。通过以上设置共同配合既解决了所述芯片安装单元内芯片安装部与对应引脚之间的间隙和相邻芯片安装单元之间没有连接所述第二连接件的所述第一连接件之间的间隔会削弱所述框架的整体强度的问题，又不会使得刀具切割面积过多。
优选的，所述框架包括边框和芯片排布区域，所述边框和芯片排布区域之间分别沿长度和宽度方向均匀分布有多个开口，所述开口内设有一个第三连接件。
所有所述芯片安装单元所占的区域为所述芯片排布区域，所述开口用于容纳塑封时溢出的塑封料，但所述框架在所述开口处的强度有一定减弱，故在所述开口处设置所述第三连接件增强所述框架在所述开口处的强度。
优选的，所述第三连接件包括横向连接件或纵向连接件，所述横向连接件间隔分布，相邻所述横向连接件之间设有一个或多个所述纵向连接件，或者，所述纵向连接件间隔分布，相邻所述纵向连接件之间设有一个或多个所述横向连接件。
所述第三连接件在所述开口内横向设置则为所述横向连接件，所述横向连接件主要承受框架受到的横向力，所述第三连接件在所述开口内纵向设置则为所述纵向连接件，所述纵向连接件主要承受所述框架受到的纵向力。若使所述横向连接件和纵向连接件交错设置，则所述框架在横向和纵向上的受力都比较好，还可以根据所述框架在实际情况中所受的横向力和纵向力的大小不同，改变所述横向连接件和纵向连接件的数量，如若所受的纵向力较大，就可增加所述纵向连接件的数量。
优选的，所述第三连接件设成半腐蚀结构。
所述第三连接件设成所述半腐蚀结构，可以增强所述开口内塑封料和开口的结合力，避免所述开口内的塑封料脱落，影响产品质量。
优选的，所述框架中部设有一条单元分隔槽，所述单元分隔槽两侧各有一个所述芯片排布区域。
所述单元分隔槽设置的数量越多，所述框架强度越好，但所述单元分隔槽的区域无法被利用，故减少所述单元分隔槽数量可以提高框架的利用率，可只设置一条所述单元分隔槽将所述框架分成两个所述芯片排布区域。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：
1.本实用新型框架解决了所述芯片安装单元内芯片安装部与对应引脚之间的间隙和相邻芯片安装单元之间没有连接所述第二连接件的所述第一连接件之间的间隔会削弱所述框架的整体强度的问题；
2.本实用新型框架所述开口内设置所述第一连接件和第二连接件，并将所述第一连接件和第二连接件交错布置，进一步提高了所述框架的强度。
附图说明
图1为实施例1中框架局部示意图；
图2为实施例1中框架的示意图；
图中标记：100-框架，101-芯片排布区域，102-单元分隔槽，1-第二连接件，2-引脚，3-芯片安装部，4-间隙，5-加强筋，6-第一连接件，7-开口，8-第三连接件。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
实施例1
如图1-2所示，一种dfn2030-6高密度框架，包括框架100，所述框架100包含多个芯片安装单元，所述框架100包括若干第一连接件6和若干第二连接件1，每个所述芯片安装单元相对的两边分别各设有三个引脚2，所述芯片安装单元内设有一个芯片安装部3，横向上相邻所述芯片安装部3通过对应的所述第一连接件6相连通，所述引脚2通过对应的所述第一连接件6相连通，同一纵向上的所述第一连接件6通过对应的所述第二连接件1相连通，所述第二连接件1设成半腐蚀结构，所述芯片安装部3与对应所述引脚2存在间隙4，所述间隙4两侧对应的所述第二连接件1上沿纵向设有加强筋5，所述加强筋5沿纵向长度大于所述间隙4的间距。
具体的，所述框架100中部设有一条单元分隔槽102，所述单元分隔槽102两侧各有一个所述芯片排布区域101。横向上相邻所述芯片安装部3通过三条所述第一连接件6对应相连通，横向上相邻所述芯片安装单元内同一侧所述引脚2中部通过一条所述第一连接件6对应相连通，两列所述芯片安装单元之间的所有所述第一连接件6均由一根从上到下的所述第二连接件1相连通。图中阴影区域即为所述半腐蚀结构区域，所述间隙4两侧对应的所述第二连接件1上沿纵向均分别设有一根一字加强筋5。
所述边框和芯片排布区域101之间沿长度和宽度方向均匀分布有多个矩形开口7，所述开口7内设有第三连接件8，所述第三连接件8同样设成半腐蚀结构。所述第三连接件8包括横向连接件或纵向连接件。所述横向连接件和竖向连接件的数量可根据实际情况中框架100的受力情况设置，若所述框架100受到的纵向力较横向力大，可增加所述纵向连接件的数量。如图1所示，所述横向连接件间隔分布，竖向上相邻所述横向连接件之间设有2个所述纵向连接件，横向上相邻所述横向连接件之间设有1个所述纵向连接件，或者，所述纵向连接件间隔分布，竖向上相邻所述纵向连接件之间设有2个所述横向连接件，横向上相邻所述纵向连接件之间设有1个所述横向连接件，上述两种设置方式均合适。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
1.一种dfn2030-6高密度框架，包括框架(100)，所述框架(100)包含多个芯片安装单元，所述框架(100)包括若干第一连接件(6)和若干第二连接件(1)，每个所述芯片安装单元相对的两边分别各设有三个引脚(2)，所述芯片安装单元内设有一个芯片安装部(3)，其特征在于，
横向上相邻所述芯片安装部(3)通过对应的所述第一连接件(6)相连通，所述引脚(2)通过对应的所述第一连接件(6)相连通，同一纵向上的所述第一连接件(6)通过对应的所述第二连接件(1)相连通，所述第二连接件(1)设成半腐蚀结构，所述芯片安装部(3)与对应所述引脚(2)存在间隙(4)，所述间隙(4)两侧对应的所述第二连接件(1)上沿纵向设有加强筋(5)，所述加强筋(5)沿纵向长度大于所述间隙(4)的间距。
2.根据权利要求1所述的一种dfn2030-6高密度框架，其特征在于，所述框架(100)包括边框和芯片排布区域(101)，所述边框和芯片排布区域(101)之间分别沿长度和宽度方向均匀分布有多个开口(7)，所述开口(7)内设有一个第三连接件(8)。
3.根据权利要求2所述的一种dfn2030-6高密度框架，其特征在于，所述第三连接件(8)包括横向连接件或纵向连接件，所述横向连接件间隔分布，相邻所述横向连接件之间设有一个或多个所述纵向连接件，或者，所述纵向连接件间隔分布，相邻所述纵向连接件之间设有一个或多个所述横向连接件。
4.根据权利要求2所述的一种dfn2030-6高密度框架，其特征在于，所述第三连接件(8)设成半腐蚀结构。
5.根据权利要求2-4任一所述的一种dfn2030-6高密度框架，其特征在于，所述框架(100)中部设有一条单元分隔槽(102)，所述单元分隔槽(102)两侧各有一个所述芯片排布区域(101)。
技术总结