• 本发明属于发电机机座,具体涉及一种汽轮发电机机座及焊接方法。背景技术、汽轮发电机机座是支撑和固定整个发电机组的基础机构,汽轮发电机机座由钢板焊接而成,为了减少发电机的振动,提高发电机的效率,延长使用寿命,对汽轮发电机机座的同心度、垂直度、焊
    专利3月前
    190
  • 本申请涉及车联网,特别是涉及一种车辆状态分析方法、装置和计算机设备。背景技术、目前,车联网大数据技术的快速发展,数据中潜在价值正逐渐被人们挖掘并应用,车联网回传的车辆运行数据,包括车辆速度、温度、压力等相关数据,大量数据经过统计分析等,可快
    专利3月前
    170
  • 本发明涉及葡萄糖生产,特别是一种用硅藻土替代活性炭的葡萄糖生产方法。背景技术、葡萄糖在生物学领域具有重要地位,是活细胞的能量来源和新陈代谢中间产物,即生物的主要供能物质。在糖果制造业和医药领域有着广泛应用,同时葡萄糖作为一种作用和性能最好的
    专利3月前
    180
  • 本发明属于机器人感知,具体涉及一种基于eit触觉传感器的机械臂避障方法。背景技术、在机械臂上集成触觉传感器可以赋予其触觉感知能力,机械臂接收到触觉信息后,对触觉信息进行处理,并根据处理后的信息重新规划行进路线,使得机械臂能够躲避障碍物,或者
    专利3月前
    200
  • 本发明涉及通信领域,具体是通信基站直流负载智能管理方法、系统及存储介质。背景技术、随着移动通信技术的快速发展,通信基站的数量和规模不断扩大,直流负载管理成为提高基站能效和可靠性的关键。现有的直流负载管理方法往往依赖于人工监控和手动调整,效率
    专利3月前
    190
  • 本发明属于晶核早强剂制备领域,尤其涉及一种用于海上风电灌浆料的c-f-s-h晶核早强剂及其制备方法。背景技术、水泥基灌浆料是工业设备安装、螺栓锚固、修补加固等工程的首选材料。随着社会经济的快速发展,超高层建筑、海上采油平台、海上风电等工程越
    专利3月前
    230
  • 本发明涉及电力建筑维护,具体为智能调控的电力建筑隔震装置。背景技术、在电力建筑领域,尤其是应对地震或其他强烈震动的场景中,隔震技术对于建筑物的结构稳定性和内部设备的保护起着至关重要的作用。现有的隔震技术大多依赖于单一的缓震机构来吸收和分散震
    专利3月前
    250
  • 本发明涉及一种光合作用剂的制备方法,具体涉及一种纳米固载层层自组装的dac捕co光合作用剂的制备方法,属于植物光合作用剂。背景技术、光合作用是植物生长过程中极为关键的生理过程,它不仅是植物获取能量的主要途径,还直接影响植物的产量和品质。光合
    专利3月前
    220
  • 本发明涉及聚丙烯酰胺复合聚氨酯生产,具体涉及一种聚丙烯酰胺复合聚氨酯海绵的生产装置。背景技术、聚丙烯酰胺复合聚氨酯是一种复合材料,结合了聚丙烯酰胺的特性和聚氨酯的特性,种这种复合材料可以用于滤膜、土壤改良、建筑材料、复合纤维等多个领域,其中
    专利3月前
    250
  • 本发明涉及起重机倾覆危险预测,具体而言,涉及一种汽车起重机时变作业的预警方法。背景技术、由于汽车起重机使用范围广,机动性好,可以方便地转移场地,因此适用于单件重量较大构件的吊装和周期较短的作业。但是汽车起重机作业时对道路、场地要求高,容易产
    专利3月前
    260
  • 本发明涉及玻璃管加工,尤其涉及一种药用玻璃管内壁清扫装置及方法。背景技术、药用玻璃管是一种由玻璃组成的管状结构,其形状为一根直管,由炉中拉出的长条中空玻璃管切割制成。在药用玻璃管生产过程中,玻璃管的粗切工艺不可避免的会产生一些细小玻璃颗粒散
    专利3月前
    220
  • 本发明主要涉及摄像头的,具体涉及一种室外停车场摄像头散热装置。背景技术、随着露天的停车场也越来越多,室外停车场摄像头也被广泛运用,但是由于摄像头在室外,当夏日温度较高时,需要使用散热装置进行散热。、传统的室外停车场摄像头散热装置往往通过增加
    专利3月前
    300
  • 本发明涉及自主移动装置,具体而言,涉及一种自主移动装置的控制方法、控制装置和自主移动装置。背景技术、相关技术中,自动导向搬运车的顶升机构通过传感器检测顶升板的位置,从而对顶升板的位置进行控制。然而,在长时间运行之后,传感器的安装会出现松动等
    专利3月前
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  • 本发明涉及通信,具体地涉及一种菊花链双向通信系统及一种菊花链双向通信方法。背景技术、在现有的菊花链双向通信技术中,广泛应用于大型储能系统中的集中式电池管理系统(bms)。这种系统依赖菊花链结构连接多个模拟前端(afe)采集器件,并通过主控单
    专利3月前
    260
  • 本发明涉及集成电路制造,尤其涉及一种埋沟道晶体管器件及其形成方法。背景技术、埋沟道晶体管器件(buried-channel mosfet)是向埋入式沟道区注入与衬底相反类型的掺杂离子而形成。由于埋沟道晶体管器件的结构、开启特性以及载流子在沟
    专利4月前
    280