• 本实用新型涉及电缆清洗领域,尤其涉及一种电缆回收用清洗装置。背景技术电缆通常是由几根或几组导线绞合而成的类似绳索的电缆,每组导线之间相互绝缘,并常围绕着一根中心扭成,整个外面包有高度绝缘的覆盖层,电缆具有内通电,外绝缘的特征,在低压线路进行
    专利2023-6-23
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  • 本实用新型具体是一种单晶炉用的高效加料机构,涉及半导体新材料制备技术相关领域。背景技术单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,采用石墨加热器将硼、磷及多晶硅等掺杂物多晶原料熔化,以直拉法生长无错位单晶的设备,而加料机构则是单晶炉原料
    专利2023-6-23
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  • 本实用新型涉及半导体晶片技术领域,尤其涉及一种用于半导体测试的晶片作表面清理装置。背景技术随着半导体器件工艺制作的不断完善,器件尺寸越来越小,利用率也越来越高,半导体衬底的质量尤其是晶片表面的质量对器件的可靠性和稳定性影响也越来越大,晶片表
    专利2023-6-23
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  • 本实用新型属于锂离子电池技术领域,更具体地说,涉及一种对极片上的涂层进行清洗的极片涂层清洗装置。背景技术随着便携式电子设备的普及,锂离子电池作为此类电子设备的主要动力能源,相关技术也得到了迅猛发展。随着电子产品的性能不断提高,并向多功能化发
    专利2023-6-23
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  • 本实用新型涉及一种便携式医疗器械清洗消毒箱,具体属于医疗设备技术领域。背景技术医疗器械是指直接或者间接用于人体的仪器、设备、器具、体外诊断试剂及校准物、材料以及其他类似或者相关的物品,包括所需要的计算机软件,其效用主要通过物理等方式获得,不
    专利2023-6-23
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  • 本实用新型涉及辅助检测的技术领域,特别是涉及一种外破可视化智能终端控制器检测辅助设备。背景技术随着智能化信息化的发展,网络通信的安全性能也越来越高,智能终端控制器是一种安全监管专用的控制终端网络通信设备,在使用前需要对其进行检测,以确保智能
    专利2023-6-23
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  • 本实用新型涉及轴类检测装置技术领域,具体指一种轴类工件螺纹检测机。背景技术轴类产品在五金加工中是比较常见的,其中的螺纹轴加工是主要的加工类型,那么轴类产品的检验除了常规的直径、长度和位置公差以外,还包括了螺纹规格和完整性检验。由于五金产品的
    专利2023-6-23
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  • 本实用新型涉及一种金属表面处理夹具,特别是涉及一种微弧氧化用夹具。背景技术微弧氧化技术是通过高压在铝,镁等阀金属制备氧化陶瓷膜的一种表面处理方法,通过改变电解液与相应电参数的组合,在铝及其合金表面依靠弧光放电产生的瞬时高温高压作用,原位生长
    专利2023-6-23
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  • 本实用新型涉及筛选系统技术领域,具体为一种视觉旋转筛选系统。背景技术在工业生产中,有许多机械零件在加工成成品之前,为保证产品的质量,需要对原材料进行筛选,通过将表面平整度比较好的原材料筛选出来,在对其进行下一工序的加工,在机械生产中产品的检
    专利2023-6-23
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  • 本专利设计一种基于电压比较的自适应枕头控制器,属于智能控制技术领域。背景技术若使用者的颈部在睡眠过程中没有得到良好的支撑会引发颈椎的肌肉劳损或者颈椎病,为改善此状况,科研人员提出了垫高颈部下方部分的枕头以提供更大的支撑度,但使用者的颈部构造
    专利2023-6-23
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  • 本实用新型涉及一种木地板的毛边整形装置,特别是一种木地板塑料底膜的毛边整形装置。背景技术木地板在住宅铺设后,随着使用时间的增加,其底部或多或少会因受潮而腐烂,尤其是在南方较为潮湿的气候环境下,这种腐烂一旦延续到表面木地板就无法再使用,因此,
    专利2023-6-23
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  • 本实用新型涉及市政环保技术领域,更具体地说,涉及一种便于更换接头的市政小广告清理装置。背景技术城市牛皮藓是人们形容城市里,车站、街道、厕所、小区等公共场合非法张贴或者涂写小广告的现象。多数情况下,这些广告是不合法的,涉及办假证、非法行医等违
    专利2023-6-23
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  • 本实用新型属于熔喷布生产技术领域,具体为一种熔喷布加工用母粒添加装置。背景技术熔喷布是口罩最核心的材料,熔喷布主要以聚丙烯为主要原料,纤维直径可以达到1-5微米。空隙多、结构蓬松、抗褶皱能力好,具有独特的毛细结构的超细纤维增加单位面积纤维的
    专利2023-6-23
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  • 本实用新型涉及产品表面缺陷检测技术领域,具体为一种便于残次品下料收集的产品表面缺陷检测装置。背景技术液体渗透检测用来检查铸件表面上的各种开口缺陷,常用的渗透检测是着色检测,将有色液体浸湿或喷洒在铸件表面上,渗透剂渗入到开口缺陷里面,快速擦去
    专利2023-6-23
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  • 本实用新型涉及单晶炉技术领域,尤其涉及一种用于单晶炉加料器的挂件结构。背景技术单晶硅作为一种半导体材料,一般用于制造集成电路和其他电子元件,目前单晶硅的生长技术有两种,区熔法和直拉法,其中直拉法是目前普遍的采用的方法,在直拉法制造单晶硅时,
    专利2023-6-23
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